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上證報(bào)記者俞立嚴(yán)攝
上證報(bào)中國(guó)證券網(wǎng)訊(記者俞立嚴(yán))6月29日,在浙江瑞安召開的2023國(guó)際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)上,中國(guó)工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)(包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù))已經(jīng)開始獲得應(yīng)用,并具有很大的性能及市場(chǎng)潛力,將在未來(lái)十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的快速增長(zhǎng)。
丁榮軍指出,在電動(dòng)汽車的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)、性價(jià)比權(quán)衡、消費(fèi)慣性等因素影響下,未來(lái)十年Si-IGBT仍將是功率半導(dǎo)體器件的主流,并將與碳化硅功率器件長(zhǎng)期并存。
丁榮軍預(yù)測(cè),隨著硅基材料逐漸逼近其物理極限,功率半導(dǎo)體將朝著更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率和材料穩(wěn)定性等方向發(fā)展,功率器件技術(shù)演進(jìn)將助力新能源汽車向高性能、充電快、長(zhǎng)續(xù)航等方向發(fā)展。
(文章來(lái)源:上海證券報(bào)·中國(guó)證券網(wǎng))
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